半導(dǎo)體技術(shù)雜志論文格式要求:
①摘要應(yīng)全面概括論文的主要內(nèi)容,明確反映作者的主要觀點(diǎn),不能僅僅籠統(tǒng)地介紹論文的思路和結(jié)構(gòu),避免使用“本文主張”“筆者認(rèn)為”等評(píng)價(jià)方式。關(guān)鍵詞應(yīng)為反映論文核心內(nèi)容的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ),一般3至5個(gè)。
②請(qǐng)勿一稿多投。三個(gè)月內(nèi)未收到我刊回復(fù),作者即可自行處理。因人手緊張,恕不退稿,請(qǐng)自留底稿。
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⑤以“參考文獻(xiàn)”(左頂格)作為標(biāo)志,不分文獻(xiàn)類(lèi)別不加編號(hào),順序排列。中文參考文獻(xiàn)在前,按拼音順序排列;英文參考文獻(xiàn)在后,按字母順序排列。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志往年文章平均引文率
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