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Ieee Journal Of The Electron Devices Society

IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志 SCIE

Ieee Journal Of The Electron Devices Society

9 Weeks 審稿時(shí)間

3區(qū)中科院分區(qū)

Q3JCR分區(qū)

2影響因子

2168-6734

2168-6734

IEEE J ELECTRON DEVI

UNITED STATES

Biochemistry, Genetics and Molecular Biology - Biotechnology

2013

23

1 issue/year

English

92

0.04...

投稿咨詢(xún) 加急服務(wù)

期刊簡(jiǎn)介

IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志(Ieee Journal Of The Electron Devices Society)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來(lái)源期刊,該刊創(chuàng)刊于2013年,出版周期1 issue/year。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級(jí):Q3,2023年發(fā)布的影響因子為2,CiteScore指數(shù)5.2,SJR指數(shù)0.505。本刊為開(kāi)放獲取期刊。

《IEEE 電子設(shè)備學(xué)會(huì)雜志》(J-EDS)是一本開(kāi)放獲取的全電子科學(xué)期刊,出版從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究的論文,這些論文科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),與電子設(shè)備相關(guān)。J-EDS 發(fā)表與電子和離子集成電路設(shè)備和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空設(shè)備和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米設(shè)備、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還出版了有關(guān)這些主題的教程和評(píng)論論文。有時(shí),還會(huì)出版特別版,其中包含有關(guān)特定領(lǐng)域的更深入和更廣泛的論文集。J-EDS 出版所有被判定為技術(shù)上有效和原創(chuàng)的論文。

中科院分區(qū)信息

IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2023年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2022年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)
IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2021年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)
IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2021年12月基礎(chǔ)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2021年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)
IEEE電子器件學(xué)會(huì)雜志2020年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū)
名詞解釋?zhuān)?/b>

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Ieee Journal Of The Electron Devices Society(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352
42.8%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354
49.58%
名詞解釋?zhuān)?/b>

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡(jiǎn)稱(chēng)JCR)。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類(lèi)別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
  • CiteScore:5.2
  • SJR:0.505
  • SNIP:0.955
學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi):Materials Science 小類(lèi):Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284
68%
大類(lèi):Materials Science 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797
68%
大類(lèi):Materials Science 小類(lèi):Biotechnology Q2 139 / 311
55%
名詞解釋?zhuān)?/b>

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
  • OA是否開(kāi)放:開(kāi)放
  • 是否預(yù)警:否
  • 影響因子:2
  • Gold OA文章占比:97.60%
  • 研究類(lèi)文章占比:98.91%
  • 開(kāi)源占比: 0.97...
  • 出版國(guó)人文章占比: 0.21
  • OA被引用占比: 1
  • 出版撤稿文章占比: --
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對(duì)比及走勢(shì)

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱(chēng) 引用次數(shù)
  • FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire F...

    21
  • Characterization and Compact Modeling of...

    19
  • Characterization and Modeling of 28-nm B...

    14
  • Cryogenic Temperature Characterization o...

    11
  • Hysteresis Reduction in Negative Capacit...

    11
  • Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe...

    11
  • Direct Correlation of Ferroelectric Prop...

    10
  • Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memor...

    10
  • Development and Fabrication of AlGaInP-B...

    10
  • Experimental Investigations of State-of-...

    10

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    140
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    75
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    59
  • SEMICOND SCI TECH

    36
  • IEEE ACCESS

    29
  • JPN J APPL PHYS

    27
  • SOLID STATE ELECTRON

    22
  • APPL PHYS LETT

    20
  • MICROMACHINES-BASEL

    20
  • J APPL PHYS

    18

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    499
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    445
  • APPL PHYS LETT

    311
  • J APPL PHYS

    180
  • SOLID STATE ELECTRON

    105
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    75
  • JPN J APPL PHYS

    73
  • NANO LETT

    64
  • IEEE J SOLID-ST CIRC

    58
  • NATURE

    53

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國(guó)家/地區(qū)名 數(shù)量
  • CHINA MAINLAND

    168
  • USA

    99
  • Taiwan

    98
  • South Korea

    74
  • Japan

    61
  • India

    40
  • France

    29
  • GERMANY (FED REP GER)

    27
  • Switzerland

    23
  • Belgium

    20

機(jī)構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機(jī)構(gòu)名 數(shù)量
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    35
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    22
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    20
  • ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE

    18
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

    17
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN...

    17
  • NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

    15
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)

    15
  • SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

    15
  • PEKING UNIVERSITY

    14

免責(zé)聲明

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