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Journal Of Semiconductor Technology And Science

半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志 SCIE

Journal Of Semiconductor Technology And Science

較慢,6-12周 審稿時(shí)間

4區(qū)中科院分區(qū)

Q4JCR分區(qū)

0.5影響因子

1598-1657

2233-4866

J SEMICOND TECH SCI

SOUTH KOREA

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED

2001

15

6 issues/year

English

37

--

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期刊簡介

半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志(Journal Of Semiconductor Technology And Science)是一本由Institute of Electronics Engineers of Korea出版的一本ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期6 issues/year。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級:Q4,2023年發(fā)布的影響因子為0.5,CiteScore指數(shù)0.9,SJR指數(shù)0.181。本刊非開放獲取期刊。

《半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志》的出版旨在為參與集成電路技術(shù)各個(gè)方面的研發(fā)人員提供一個(gè)論壇,即 VLSI 制造工藝技術(shù)、VLSI 設(shè)備技術(shù)、VLSI 電路設(shè)計(jì)以及這種大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)的其他新應(yīng)用。當(dāng) IC 被發(fā)明時(shí),這些人在一個(gè)地方一起工作。然而,隨著 IC 領(lǐng)域的擴(kuò)大,我們的個(gè)人知識變得越來越狹窄,在技術(shù)社會(huì)中產(chǎn)生了不同的分支,這使得整體交流變得更加困難。然而,漁夫總是知道他可以在暖水和冷水交匯的邊界捕獲更多的魚。因此,我們決定倒退,將所有參與 VLSI 技術(shù)的人員聚集在一個(gè)地方。

中科院分區(qū)信息

半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2023年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2022年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2021年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2021年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志2020年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Journal Of Semiconductor Technology And Science(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352
6.7%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179
2.5%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354
3.53%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179
1.96%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797
18%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284
12%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對比及走勢

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driver Array

    4
  • A Watt-level Broadband Power Amplifier i...

    4
  • A 3-Gb/s Equalizer with an Adaptive Swin...

    4
  • Gallium Nitride PIN Avalanche Photodiode...

    3
  • Processing and Characterization of Ultra...

    3
  • Investigation on Phase-change Synapse De...

    3
  • Properties of Resistive Switching in TiO...

    3
  • Xenon Flash Lamp Annealing on a-IGZO Thi...

    3
  • Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor

    2
  • Investigation of Wafer Warpage Induced b...

    2

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • J SEMICOND TECH SCI

    26
  • J NANOSCI NANOTECHNO

    24
  • MICROMACHINES-BASEL

    17
  • IEEE ACCESS

    13
  • ELECTRONICS-SWITZ

    8
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    8
  • MATER RES EXPRESS

    7
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    6
  • IEEE T ELECTRON DEV

    6
  • JPN J APPL PHYS

    6

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE J SOLID-ST CIRC

    114
  • IEEE T ELECTRON DEV

    63
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    45
  • IEEE T CIRCUITS-I

    45
  • APPL PHYS LETT

    43
  • PHYS REV B

    33
  • J APPL PHYS

    30
  • IEEE T CIRCUITS-II

    29
  • J SEMICOND TECH SCI

    26
  • IEEE T VLSI SYST

    16

國家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國家/地區(qū)名 數(shù)量
  • South Korea

    220
  • CHINA MAINLAND

    14
  • USA

    8
  • India

    5
  • Japan

    3
  • Taiwan

    3
  • Vietnam

    3
  • England

    1
  • Indonesia

    1
  • Iran

    1

機(jī)構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機(jī)構(gòu)名 數(shù)量
  • HANYANG UNIVERSITY

    24
  • HONGIK UNIVERSITY

    21
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)

    17
  • KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TE...

    15
  • CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY

    14
  • KWANGWOON UNIVERSITY

    14
  • SAMSUNG

    14
  • EWHA WOMANS UNIVERSITY

    12
  • SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU)

    12
  • SOGANG UNIVERSITY

    10

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若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。

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