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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

較慢,6-12周 審稿時間

3區(qū)中科院分區(qū)

Q2JCR分區(qū)

2.5影響因子

1530-4388

1558-2574

IEEE T DEVICE MAT RE

UNITED STATES

工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

2001

63

Quarterly

English

72

0.05

投稿咨詢 加急服務(wù)

期刊簡介

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術(shù)-工程:電子與電氣學術(shù)刊物,主要報道工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期Quarterly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級:Q2,2023年發(fā)布的影響因子為2.5,CiteScore指數(shù)4.8,SJR指數(shù)0.436。本刊非開放獲取期刊。

出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計出來。這個不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇。總體目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。

中科院分區(qū)信息

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2023年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2022年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月基礎(chǔ)版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2020年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學術(shù)影響力,最終每個分區(qū)的期刊累積學術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352
53.3%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179
51.7%
按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354
47.6%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179
44.97%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當年IF,最終每個分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計

1、Cite Score(2024年最新版)
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207
68%
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797
65%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284
63%
名詞解釋:

CiteScore:該指標由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對比及走勢

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • A First-Principles Study of the SF6 Deco...

    23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its...

    9
  • Comparative Thermal and Structural Chara...

    9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted...

    8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T...

    7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi...

    7
  • Impacts of Process and Temperature Varia...

    6
  • Comparative Study of Reliability of Ferr...

    6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directi...

    6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat...

    6

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    127
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    93
  • MICROELECTRON RELIAB

    88
  • IEEE ACCESS

    47
  • IEEE T NUCL SCI

    37
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    36
  • IEICE ELECTRON EXPR

    35
  • IEEE T POWER ELECTR

    31
  • J MATER SCI-MATER EL

    31
  • ELECTRONICS-SWITZ

    30

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    167
  • IEEE T NUCL SCI

    116
  • MICROELECTRON RELIAB

    100
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    93
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    69
  • APPL PHYS LETT

    59
  • J APPL PHYS

    44
  • IEEE T COMP PACK MAN

    24
  • IEEE J SOLID-ST CIRC

    23
  • IEEE T POWER ELECTR

    23

國家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國家/地區(qū)名 數(shù)量
  • USA

    52
  • CHINA MAINLAND

    51
  • India

    50
  • Taiwan

    35
  • France

    20
  • Italy

    18
  • Belgium

    15
  • Austria

    14
  • Japan

    13
  • GERMANY (FED REP GER)

    12

機構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機構(gòu)名 數(shù)量
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    23
  • IMEC

    15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

    14
  • STMICROELECTRONICS

    10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN

    9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

    8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES

    7
  • GLOBALFOUNDRIES

    7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    6

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