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Ieee Transactions On Electron Devices

IEEE Transactions On Electron Devices SCIE

Ieee Transactions On Electron Devices

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2區(qū)中科院分區(qū)

Q2JCR分區(qū)

2.9影響因子

0018-9383

1557-9646

IEEE T ELECTRON DEV

UNITED STATES

工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

1954

165

Monthly

English

1084

0.16...

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期刊簡介

IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術(shù)-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于1954年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級:Q2,2023年發(fā)布的影響因子為2.9,CiteScore指數(shù)5.8,SJR指數(shù)0.785。本刊非開放獲取期刊。

《IEEE 電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評論論文,偶爾還會出版專刊,介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。

中科院分區(qū)信息

IEEE Transactions On Electron Devices2023年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions On Electron Devices2022年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū) 3區(qū)
IEEE Transactions On Electron Devices2020年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 2區(qū) 2區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Ieee Transactions On Electron Devices(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352
59.5%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179
62.3%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354
59.18%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179
66.2%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797
72%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284
71%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對比及走勢

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Fully Inkjet-Printed Photodetector Using...

    42
  • Effects of Postannealing on the Characte...

    37
  • Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0....

    28
  • Demonstration of Constant 8 W/mm Power D...

    27
  • Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2...

    22
  • 2-D Layered Materials for Next-Generatio...

    20
  • High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxi...

    20
  • BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, A...

    20
  • Improved Switching Stability and the Eff...

    18
  • Design and Investigation of Charge-Plasm...

    17

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    3214
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    865
  • JPN J APPL PHYS

    565
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    499
  • SOLID STATE ELECTRON

    431
  • IEEE ACCESS

    422
  • SEMICOND SCI TECH

    412
  • J APPL PHYS

    400
  • APPL PHYS LETT

    388
  • J COMPUT ELECTRON

    284

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    3214
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    1587
  • APPL PHYS LETT

    1366
  • J APPL PHYS

    866
  • SOLID STATE ELECTRON

    384
  • PHYS REV B

    305
  • ADV MATER

    238
  • MICROELECTRON RELIAB

    235
  • NANO LETT

    209
  • ACS APPL MATER INTER

    195

國家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國家/地區(qū)名 數(shù)量
  • CHINA MAINLAND

    741
  • USA

    455
  • India

    399
  • Taiwan

    232
  • South Korea

    181
  • GERMANY (FED REP GER)

    149
  • Japan

    123
  • Italy

    111
  • France

    110
  • England

    100

機(jī)構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機(jī)構(gòu)名 數(shù)量
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    239
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN...

    123
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    92
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    81
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM

    76
  • IMEC

    74
  • PEKING UNIVERSITY

    66
  • XIDIAN UNIVERSITY

    58
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

    57
  • NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

    50

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