首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 醫(yī)藥衛(wèi)生科技 > 醫(yī)藥衛(wèi)生綜合 > 解放軍醫(yī)藥 > 褪黑素通過(guò)AMPK-mTOR信號(hào)通路介導(dǎo)的自噬在神經(jīng)元缺血缺氧損傷中的作用研究 【正文】
摘要:目的觀察氧糖剝奪(OGD)對(duì)神經(jīng)元凋亡及自噬的影響,研究褪黑素(MT)對(duì)OGD所致神經(jīng)元損傷的作用,并以AMPK-mTOR信號(hào)通路介導(dǎo)的自噬為靶點(diǎn)探討褪黑素在OGD所致神經(jīng)元損傷中發(fā)揮保護(hù)作用的分子機(jī)制。方法將培養(yǎng)成熟的原代神經(jīng)元分為對(duì)照組、OGD處理組、氧糖剝奪+褪黑素(OGD+MT)處理組、氧糖剝奪+褪黑素+細(xì)胞自噬抑制劑(OGD+MT+3-mA)處理組及氧糖剝奪+褪黑素+化合物C(OGD+MT+Cpd C)處理組。OGD處理組采用免疫熒光染色和免疫印跡法檢測(cè)凋亡及自噬相關(guān)蛋白的表達(dá);OGD+MT處理組用褪黑素對(duì)神經(jīng)元進(jìn)行預(yù)處理前/后,檢測(cè)神經(jīng)元凋亡相關(guān)指標(biāo),觀察OGD所致神經(jīng)元損傷程度,并采用免疫熒光染色和western blot等方法檢測(cè)神經(jīng)元自噬;OGD+MT+3-mA處理組使用細(xì)胞自噬抑制劑(3-mA)處理神經(jīng)元后探討褪黑素對(duì)神經(jīng)元凋亡及自噬的影響;OGD+MT+Cpd C處理組使用AMPK抑制劑化合物C(Cpd C)處理神經(jīng)元后,檢測(cè)AMPK-mTOR信號(hào)通路關(guān)鍵分子表達(dá)水平,探索褪黑素對(duì)AMPK-mTOR通路的調(diào)控作用。結(jié)果OGD可顯著增加神經(jīng)元凋亡及自噬,并阻斷自噬流的通暢;褪黑素可以顯著減輕神經(jīng)元凋亡,激動(dòng)自噬,并維持自噬流的通暢;細(xì)胞自噬抑制劑及化合物C可以逆轉(zhuǎn)褪黑素對(duì)OGD所致神經(jīng)元損傷的保護(hù)作用。結(jié)論褪黑素可以通過(guò)AMPK-mTOR信號(hào)通路激活自噬,從而減輕OGD所致神經(jīng)元損傷。
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