首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 信息科技 > 無線電電子學 > 紅外與毫米波學報 > 數字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進 【正文】
摘要:研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 數字遞變異變緩沖層結構( DGMB)的總周期數對2. 6 μm 延伸波長In0. 83Ga0. 17As 光電二極管性能的影響.實驗表明,在保持總緩沖層厚度不變的情況下,通過將在InP 襯底上生長的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 結構的總周期數從19 增加到38,其上所生長的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光電二極管材料層的晶體質量得到了顯著改善.對于在總周期數為38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光電二極管,觀察到其應變弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致發光強度和光響應度均增強,同時暗電流水平被顯著抑制.這些結果表明,隨著總周期數目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位錯的傳遞并降低殘余缺陷密度.
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