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數字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進

師艷輝; 楊楠楠; 馬英杰; 顧溢; 陳星佑; 龔謙; 張永剛 中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室; 上海200050; 中國科學院大學; 北京100049; 中國科學院上海技術物理研究所傳感技術聯合國家重點實驗室; 上海200083; 中國科學院上海技術物理研究所紅外成像材料與器件重點實驗室; 上海200083
  • 數字遞變
  • 異變
  • 緩沖
  • ingaas
  • 光電探測器

摘要:研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 數字遞變異變緩沖層結構( DGMB)的總周期數對2. 6 μm 延伸波長In0. 83Ga0. 17As 光電二極管性能的影響.實驗表明,在保持總緩沖層厚度不變的情況下,通過將在InP 襯底上生長的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 結構的總周期數從19 增加到38,其上所生長的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光電二極管材料層的晶體質量得到了顯著改善.對于在總周期數為38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光電二極管,觀察到其應變弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致發光強度和光響應度均增強,同時暗電流水平被顯著抑制.這些結果表明,隨著總周期數目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位錯的傳遞并降低殘余缺陷密度.

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