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摘要：研究了一種石墨烯/銦砷量子點(diǎn)/砷化鎵界面形成的異質(zhì)結(jié)探測(cè)器的暗電流特性以及光電響應(yīng)性質(zhì).雖然石墨烯具有很高的電子遷移率,但受限于較低的光子吸收率,使其在光電探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用受到了限制.而半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有量子效率高,光吸收能力強(qiáng)等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn).于是利用石墨烯-砷化銦量子點(diǎn)-砷化鎵異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)制備了一種新型光電探測(cè)器.并對(duì)該探測(cè)器的響應(yīng)率、I-V 特性曲線、暗電流特性、探測(cè)率、開關(guān)比等關(guān)鍵性能進(jìn)行了研究.其在637 nm 入射光情況下的響應(yīng)率、探測(cè)率以及開關(guān)比可分別達(dá)到為17. 0 mA/W、2. 3 × 1010cmHz1 /2 W- 1 和1 × 103 .而當(dāng)入射光為近紅外波段的940 納米時(shí),響應(yīng)率進(jìn)一步增加到了207 mA/W.同時(shí),還證實(shí)了該器件的暗電流、肖特基勢(shì)壘高度和理想因子對(duì)溫度的都具有較高的依賴性都較強(qiáng).